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インバータ回路、半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230136895
申请日
:
2023-08-25
公开(公告)号
:
JP2023162321A
公开(公告)日
:
2023-11-08
发明(设计)人
:
KATO KIYOSHI
申请人
:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8238
IPC分类号
:
H01L21/82
H01L21/822
H01L27/00
H01L27/088
H01L29/786
H10B12/00
H10B41/70
H10B99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
インバータ回路、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022180572A
,2022-12-06
[2]
インバータ回路、半導体装置[ja]
[P].
KATO KIYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KATO KIYOSHI
.
日本专利
:JP2025108613A
,2025-07-23
[3]
インバータ回路[ja]
[P].
KATO KIYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KATO KIYOSHI
.
日本专利
:JP2022017434A
,2022-01-25
[4]
共有接合半導体インターフェース[ja]
[P].
日本专利
:JP2021528870A
,2021-10-21
[5]
パワー半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2018511163A
,2018-04-19
[6]
半導体,半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099863A1
,2010-05-27
[7]
フィン型半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2016516302A
,2016-06-02
[8]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP5775900B2
,2015-09-09
[9]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114588A1
,2010-07-01
[10]
半導体集積回路装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013140505A1
,2015-08-03
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