基板処理装置、金属部材および半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20180533370

申请日：

2016-08-10

公开(公告)号：

JPWO2018029819A1

公开(公告)日：

2019-01-31

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/52

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共 50 条

[1]

半導体装置の製造方法および基板処理装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006090645A1 ,2008-07-24

[2]

基板処理装置、半導体装置の製造方法および気化装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013094680A1 ,2015-04-27

[3]

半導体基板、および、半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022132823A ,2022-09-13

[4]

基板処理装置及び金属酸化物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025502930A ,2025-01-30

[5]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015098225A1 ,2017-03-23

[6]

半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P].

IKEJIRI MASAHIRO ;

TERABAYASHI MASAKI ;

MAEKAWA KOJI ;

AKIYAMA KOJI .

日本专利 :JP2024067682A ,2024-05-17

[7]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28

[9]

半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P].

IKEJIRI MASAHIRO ;

AKIYAMA KOJI ;

FUJIWARA NAONORI ;

YAMAZAKI KAZUYOSHI .

日本专利 :JP2024051448A ,2024-04-11

[10]

半導体装置の製造方法、および、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019049632A1 ,2019-11-07

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