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半導体電力変換デバイスのための正の抵抗温度係数(PTC)を有するゲートネットワーク[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190570020
申请日
:
2018-07-03
公开(公告)号
:
JP2020526914A
公开(公告)日
:
2020-08-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/78
IPC分类号
:
H01L21/265
H01L21/28
H01L21/336
H01L29/12
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/739
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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共 50 条
[1]
低減されたゲート抵抗のためのより広いフィールドゲートを有する半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2019500750A
,2019-01-10
[2]
スプリットゲート構造の半導体デバイス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023545549A
,2023-10-30
[3]
曲線状のゲート酸化物プロファイルを有するスプリットゲート半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP5932651B2
,2016-06-08
[4]
半導体デバイスのゲート構造および製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020507211A
,2020-03-05
[5]
架橋シロキサンネットワークを生成するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019516846A
,2019-06-20
[6]
合成ガスへの炭化水素の変換のためのコバルトベース触媒[ja]
[P].
日本专利
:JP2025520863A
,2025-07-03
[7]
セラミックマトリックス複合材料パーツの変形を測定するためのデバイスを作り出すための方法、および対応するパーツ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022532118A
,2022-07-13
[8]
固体酸化物電池(SOC)のためのインターコネクト[ja]
[P].
日本专利
:JP2024521628A
,2024-06-04
[9]
選択ゲートに熱酸化物選択ゲート絶縁体を使用し、ロジックに部分置換ゲートを使用する一体化のための製法[ja]
[P].
日本专利
:JP6478370B2
,2019-03-06
[10]
透明トンネル接合を有する光起電力デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2019530984A
,2019-10-24
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