共 50 条
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低減されたゲート抵抗のためのより広いフィールドゲートを有する半導体デバイス[ja]
被引：0
申请号：
JP20180530895
申请日：
2016-12-28
公开(公告)号：
JP2019500750A
公开(公告)日：
2019-01-10
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L21/28
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/78
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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