選択ゲートに熱酸化物選択ゲート絶縁体を使用し、ロジックに部分置換ゲートを使用する一体化のための製法[ja]

被引：0

申请号：

JP20140045274

申请日：

2014-03-07

公开(公告)号：

JP6478370B2

公开(公告)日：

2019-03-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H10B43/35 H01L27/10 H10B69/00 H01L29/788 H01L29/792 H10B43/40

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共 50 条

[1]

曲線状のゲート酸化物プロファイルを有するスプリットゲート半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP5932651B2 ,2016-06-08

[2]

ゲート酸化物の漏れを抑えたリプレースメントゲートトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6076755B2 ,2017-02-08

[3]

着色グレージングを得るためのターゲット[ja] [P].

日本专利 :JP2020517833A ,2020-06-18

[4]

ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016001973A1 ,2017-04-27

[5]

ナノシート・デバイス用の厚膜ゲート酸化物デバイス選択[ja] [P].

日本专利 :JP2024522411A ,2024-06-21

[6]

界面層削減方法、高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法、高誘電率ゲート絶縁膜、高誘電率ゲート酸化膜、及び高誘電率ゲート酸化膜を有するトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011068096A1 ,2013-04-18

[7]

消去ゲートを有する分割ゲートフラッシュメモリセルの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020536392A ,2020-12-10

[8]

改良した絶縁ゲート構造を具備するパワーＭＯＳＦＥＴ装置及びその製造方法[ja] [P].

MARIO GIUSEPPE SAGGIO ;

CATENO MARCO CAMALLERI ;

ALFIO GUARNERA .

日本专利 :JP2024009766A ,2024-01-23

[9]

酸化物焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010128629A1 ,2012-11-01

[10]

低減されたゲート抵抗のためのより広いフィールドゲートを有する半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2019500750A ,2019-01-10

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