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多層膜付き基板とその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20040546442
申请日
:
2003-10-22
公开(公告)号
:
JPWO2004038061A1
公开(公告)日
:
2006-02-23
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/08
IPC分类号
:
C23C14/10
C23C14/34
C23C16/40
C23C16/505
C23C28/04
G02B1/11
G02B5/28
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[41]
層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009022718A1
,2010-11-18
[42]
遮光膜、多層反射防止膜、それらの製造方法及び光学部材[ja]
[P].
NOSE MASAAKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KONICA MINOLTA INC
KONICA MINOLTA INC
NOSE MASAAKI
;
AOKI YOSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KONICA MINOLTA INC
KONICA MINOLTA INC
AOKI YOSUKE
.
日本专利
:JP2024153959A
,2024-10-30
[43]
蒸着材料、およびそれを用いた下地層付き基材、撥水撥油層付き基材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020137999A1
,2021-11-18
[44]
積層体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007020726A1
,2009-02-19
[45]
積層体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018194064A1
,2020-02-27
[46]
積層体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024509393A
,2024-03-01
[47]
補助配線付き基体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007029756A1
,2009-03-19
[48]
配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005031681A1
,2007-11-15
[49]
半導体装置とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006011196A1
,2008-05-01
[50]
電解銅箔とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014115681A1
,2017-01-26
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