靶材料、高亮度EUV源和产生EUV辐射的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380015430.8

申请日：

2023-01-17

公开(公告)号：

CN118435705A

公开(公告)日：

2024-08-02

发明(设计)人：

德米特里·伊戈列维奇·阿斯塔霍夫萨米尔·埃尔维丹尼斯·亚历山大罗维奇·格鲁什科夫弗拉基米尔·维塔列维奇·伊万诺夫奥列格·鲍里索维奇·赫里斯托福罗夫康斯坦丁·尼古拉耶维奇·科谢列夫米哈伊尔·谢尔盖耶维奇·克里沃科里托夫弗拉基米尔·米哈伊洛维奇·克里夫松亚历山大·安德烈耶维奇·拉什维亚切斯拉夫·瓦列里耶维奇·梅德韦杰夫亚历山大·尤里耶维奇·维诺霍多夫

申请人：

ISTEQ私人有限公司 ISTEQ集团控股有限公司

申请人地址：

荷兰埃因霍温市

IPC主分类号：

H05G2/00

IPC分类号：

C22C24/00

代理机构：

深圳市博锐专利事务所 44275

代理人：

林栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

EUV辐射源以及EUV辐射产生方法 [P].

A·亚库宁 ;

V·班尼恩 ;

V·伊万诺夫 ;

K·科舍廖夫 ;

V·克里夫特苏恩 ;

D·克拉什科夫 .

中国专利 :CN102823330A ,2012-12-12

[2]

高亮度光线的产生方法 [P].

吴小真 ;

张俊霖 .

中国专利 :CN108170005B ,2018-06-15

[3]

用于控制将EUV靶材料引入EUV室的装置和方法 [P].

D·U·H·特雷斯 ;

S·R·E·穆什 ;

B·A·萨姆斯 ;

A·梅迪纳·奥斯加拉 ;

T·W·德赖森 .

中国专利 :CN112772000A ,2021-05-07

[4]

EUV辐射产生设备及其运行方法 [P].

M·兰贝特 ;

A·恩茨曼 .

中国专利 :CN104756607A ,2015-07-01

[5]

用于EUV辐射源的靶材料储存组件 [P].

R·S·卡帕迪亚 ;

P·G·M·霍杰玛克斯 ;

I·范德哈伦 .

:CN120641234A ,2025-09-12

[6]

用于EUV辐射源的靶材料储存和递送系统 [P].

R·S·卡帕迪亚 ;

T·M·伍德伯恩 .

:CN120731135A ,2025-09-30

[7]

EUV辐射源和相关方法 [P].

W·乌巴克斯 ;

O·O·弗索拉托 .

中国专利 :CN113661446A ,2021-11-16

[8]

EUV辐射源和相关方法 [P].

W·乌巴克斯 ;

O·O·弗索拉托 .

:CN113661446B ,2024-12-06

[9]

用于产生EUV辐射或软X射线的方法和设备 [P].

J.W.内夫 ;

D.M.沃德雷万格 ;

P.青克 .

中国专利 :CN102119583A ,2011-07-06

[10]

高亮度激光等离子体光源及产生和收集辐射的方法 [P].

S·埃尔维 ;

D·A·格卢什科夫 ;

V·V·伊万诺夫 ;

O·B·克利斯托福罗夫 ;

K·N·科舍列夫 ;

M·S·克里沃科列托夫 ;

V·M·克里夫森 ;

A·A·拉什 ;

V·V·梅德韦杰夫 ;

A·Y·维诺霍多夫 .

:CN118140598A ,2024-06-04

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H05G 2/00申请日:20230117
2024-08-02	公开	公开