碳化硅复合籽晶及晶体生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323264037.9

申请日：

2023-11-30

公开(公告)号：

CN221918322U

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

陈泽斌张洁

申请人：

湖南三安半导体有限责任公司

申请人地址：

410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36 C30B33/06

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

管自英

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114059156A ,2022-02-18

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[3]

籽晶托和碳化硅晶体生长装置 [P].

翟虎 ;

孙金梅 .

中国专利 :CN221398164U ,2024-07-23

[4]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[5]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

[6]

碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P].

钱昊 ;

梁刚强 ;

苏奕霖 ;

李强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02

[7]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

[8]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 .

中国专利 :CN118704083A ,2024-09-27

[10]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114108094A ,2022-03-01

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