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一种半导体硅片加工用蚀刻装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110026233.9
申请日
:
2021-01-08
公开(公告)号
:
CN112687590B
公开(公告)日
:
2024-12-03
发明(设计)人
:
祝凯
申请人
:
开化晶芯电子有限公司
申请人地址
:
324300 浙江省衢州市开化县华埠镇江东南路2号405(自主申报)
IPC主分类号
:
H01L21/67
IPC分类号
:
H01L21/306
B05B9/04
代理机构
:
温州青科专利代理事务所(特殊普通合伙) 33390
代理人
:
虞乘乘
法律状态
:
授权
国省代码
:
浙江省 衢州市
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法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-03
授权
授权
共 50 条
[1]
一种半导体硅片加工用蚀刻装置
[P].
祝凯
论文数:
0
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0
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0
祝凯
.
中国专利
:CN112687590A
,2021-04-20
[2]
一种半导体硅片蚀刻装置
[P].
刘婷婷
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刘婷婷
.
中国专利
:CN111916377A
,2020-11-10
[3]
一种半导体硅片表面蚀刻装置
[P].
徐晶骥
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徐晶骥
;
董国斌
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董国斌
;
叶俊
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叶俊
.
中国专利
:CN215183877U
,2021-12-14
[4]
一种半导体硅片用蚀刻槽
[P].
谢信韦
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谢信韦
;
曾宪兰
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曾宪兰
;
黄金
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黄金
;
张奇飞
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张奇飞
.
中国专利
:CN217239402U
,2022-08-19
[5]
一种半导体芯片加工用蚀刻装置
[P].
论文数:
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机构:
刘斌
;
论文数:
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机构:
谢明玲
;
论文数:
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机构:
孟双艳
;
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机构:
员朝鑫
;
论文数:
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机构:
强进
.
中国专利
:CN222953046U
,2025-06-06
[6]
一种IC半导体芯片加工用蚀刻装置
[P].
付国杨
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机构:
江苏国中芯半导体科技有限公司
江苏国中芯半导体科技有限公司
付国杨
;
胡伟
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机构:
江苏国中芯半导体科技有限公司
江苏国中芯半导体科技有限公司
胡伟
;
陈红
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机构:
江苏国中芯半导体科技有限公司
江苏国中芯半导体科技有限公司
陈红
.
中国专利
:CN120709193A
,2025-09-26
[7]
一种半导体硅片蚀刻槽
[P].
王天峰
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王天峰
.
中国专利
:CN204029779U
,2014-12-17
[8]
一种半导体芯片加工用蚀刻装置
[P].
邵文庆
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机构:
常州弘盛达电子设备有限公司
常州弘盛达电子设备有限公司
邵文庆
;
刘亚飞
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机构:
常州弘盛达电子设备有限公司
常州弘盛达电子设备有限公司
刘亚飞
;
李圆圆
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机构:
常州弘盛达电子设备有限公司
常州弘盛达电子设备有限公司
李圆圆
.
中国专利
:CN221708670U
,2024-09-13
[9]
一种半导体芯片加工用蚀刻装置
[P].
郑颖
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机构:
宁波利汇物联网科技有限公司
宁波利汇物联网科技有限公司
郑颖
.
中国专利
:CN220718085U
,2024-04-05
[10]
一种半导体加工用硅片脱胶装置
[P].
陈启鑫
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机构:
中科兴能(南京)科技有限公司
中科兴能(南京)科技有限公司
陈启鑫
;
王林
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机构:
中科兴能(南京)科技有限公司
中科兴能(南京)科技有限公司
王林
;
沈正军
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机构:
中科兴能(南京)科技有限公司
中科兴能(南京)科技有限公司
沈正军
.
中国专利
:CN220963249U
,2024-05-14
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