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一种半导体硅片加工用蚀刻装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110026233.9
申请日：
2021-01-08
公开(公告)号：
CN112687590B
公开(公告)日：
2024-12-03
发明(设计)人：
祝凯
申请人：
开化晶芯电子有限公司
申请人地址：
324300 浙江省衢州市开化县华埠镇江东南路2号405(自主申报)
IPC主分类号：
H01L21/67
IPC分类号：
H01L21/306
B05B9/04
代理机构：
温州青科专利代理事务所(特殊普通合伙) 33390
代理人：
虞乘乘
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省
衢州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-03 | 授权 | 授权 |