半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410503778.8

申请日：

2024-04-25

公开(公告)号：

CN118943145A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

渡壁创津吹将志佐佐木俊成田丸尊也望月真里奈小野寺凉渡部将弘

申请人：

株式会社日本显示器

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H10K59/121 H10K59/123 H10K59/131

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	公开	公开
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20240425
2025-07-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 27/12登记生效日:20250626变更事项:申请人变更前权利人:株式会社日本显示器变更后权利人:株式会社日本显示器变更事项:国家或地区变更前权利人:日本变更后权利人:日本变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:申请人变更后权利人:出光兴产株式会社变更事项:国家或地区变更后权利人:日本

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN119343997A ,2025-01-21

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

[3]

半导体装置 [P].

花田明纮 ;

海东拓生 ;

汤川统央 .

日本专利 :CN120659359A ,2025-09-16

[4]

半导体器件 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN117712178A ,2024-03-15

[5]

半导体装置及显示装置 [P].

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

望月真里奈 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738135A ,2024-10-01

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

黑崎大辅 ;

田边美和 ;

保本清治 ;

肥冢纯一 .

日本专利 :CN120323103A ,2025-07-15

[7]

半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法 [P].

渡部将弘 ;

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

望月真里奈 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738136A ,2024-10-01

[8]

半导体装置 [P].

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

渡壁创 ;

田丸尊也 .

日本专利 :CN118715618A ,2024-09-27

[9]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102544109A ,2012-07-04

[10]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102169906A ,2011-08-31

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