半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510290056.3

申请日：

2025-03-12

公开(公告)号：

CN120659359A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

花田明纮海东拓生汤川统央

申请人：

株式会社日本显示器

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/80

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军;韩雪莲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20250312

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105810752A ,2016-07-27

[2]

半导体装置 [P].

加藤纯男 ;

上田直树 .

中国专利 :CN105765720B ,2016-07-13

[3]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102834922A ,2012-12-19

[4]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108321209B ,2018-07-24

[5]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104662668B ,2015-05-27

[6]

半导体装置 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 ;

渡部将弘 .

日本专利 :CN118943145A ,2024-11-12

[7]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN110620156A ,2019-12-27

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

金子寿辉 ;

木村史哉 .

中国专利 :CN115377211A ,2022-11-22

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN119343997A ,2025-01-21

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

望月真里奈 ;

渡部将弘 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN118738138A ,2024-10-01

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