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選択的堆積および抵抗率低減による完全整合ビアの集積化[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230562820
申请日
:
2022-04-15
公开(公告)号
:
JP2024518276A
公开(公告)日
:
2024-05-01
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/205
IPC分类号
:
C23C16/04
C23C16/26
H01L21/314
H01L21/768
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
アルコールの選択的還元および保護による選択的堆積[ja]
[P].
日本专利
:JP2017528597A
,2017-09-28
[2]
バリア性能の向上およびビア抵抗の低減のための方法および材料[ja]
[P].
日本专利
:JP2023545224A
,2023-10-27
[3]
炭素膜の選択的堆積及びその使用[ja]
[P].
日本专利
:JP2022509111A
,2022-01-20
[4]
低抵抗率の接点および相互接続[ja]
[P].
日本专利
:JP2023527774A
,2023-06-30
[5]
半導体デバイスの抵抗を低減するためのライナー及びバリア膜の選択的堆積[ja]
[P].
日本专利
:JP2025526033A
,2025-08-07
[6]
半導体集積回路の製造方法および半導体集積回路[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004064161A1
,2006-05-18
[7]
誘電体上に誘電体を選択的に堆積させる方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024505506A
,2024-02-06
[8]
自己組織化単分子層を使用する選択的堆積のための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021533272A
,2021-12-02
[9]
表皮深さ損失を軽減する高抵抗および低抵抗導体層のための方法およびデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024519440A
,2024-05-14
[10]
基板、基板の金属表面領域への選択的な膜堆積方法、有機物の堆積膜及び有機物[ja]
[P].
日本专利
:JP7303447B2
,2023-07-05
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