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一种硅片刻蚀机的下料装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202421121346.2
申请日
:
2024-05-21
公开(公告)号
:
CN222300645U
公开(公告)日
:
2025-01-03
发明(设计)人
:
马胜南
马胜北
申请人
:
南轩(天津)科技有限公司
申请人地址
:
300000 天津市宝坻区京津中关村科技城曙光路1号
IPC主分类号
:
H01L21/677
IPC分类号
:
代理机构
:
天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246
代理人
:
任冠娉
法律状态
:
授权
国省代码
:
天津市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-03
授权
授权
共 50 条
[1]
硅片刻蚀装置
[P].
赵莉珍
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
赵莉珍
;
何刚
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
何刚
.
中国专利
:CN220341181U
,2024-01-12
[2]
硅片刻蚀装置
[P].
吴佳俊
论文数:
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0
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0
吴佳俊
.
中国专利
:CN214624988U
,2021-11-05
[3]
一种硅片刻蚀装置
[P].
程瑜
论文数:
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
程瑜
;
李立腾
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
李立腾
;
李坚毅
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0
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
李坚毅
.
中国专利
:CN221812085U
,2024-10-08
[4]
一种硅片烘干装置及硅片刻蚀机
[P].
杨金鑫
论文数:
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杨金鑫
;
谢凤兰
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谢凤兰
;
唐正海
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唐正海
;
刘燕
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刘燕
.
中国专利
:CN210516685U
,2020-05-12
[5]
硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备
[P].
衡鹏
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衡鹏
.
中国专利
:CN211957617U
,2020-11-17
[6]
一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片
[P].
高祎璠
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机构:
航天科工防御技术研究试验中心
航天科工防御技术研究试验中心
高祎璠
;
刘恒
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机构:
航天科工防御技术研究试验中心
航天科工防御技术研究试验中心
刘恒
;
郑学恒
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机构:
航天科工防御技术研究试验中心
航天科工防御技术研究试验中心
郑学恒
;
路浩通
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机构:
航天科工防御技术研究试验中心
航天科工防御技术研究试验中心
路浩通
.
中国专利
:CN119529845A
,2025-02-28
[7]
硅片刻蚀装置
[P].
吴佳俊
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机构:
常州亿晶光电科技有限公司
常州亿晶光电科技有限公司
吴佳俊
.
中国专利
:CN113161266B
,2025-08-22
[8]
硅片刻蚀装置
[P].
吴佳俊
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吴佳俊
.
中国专利
:CN113161266A
,2021-07-23
[9]
一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统
[P].
袁陨来
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袁陨来
;
吴帅
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吴帅
;
张鹏程
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张鹏程
;
王建波
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王建波
;
吕俊
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吕俊
.
中国专利
:CN114724942A
,2022-07-08
[10]
硅片刻蚀清洗下片机
[P].
董晓清
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董晓清
;
杜广亮
论文数:
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杜广亮
.
中国专利
:CN207909851U
,2018-09-25
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