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湿法蚀刻设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910831544.5
申请日
:
2019-09-04
公开(公告)号
:
CN110875225B
公开(公告)日
:
2024-12-17
发明(设计)人
:
李轸雨
崔溶俊
金石训
辛承敃
车知勋
申请人
:
三星电子株式会社
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L21/67
IPC分类号
:
代理机构
:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
:
赵南;张青
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-17
授权
授权
共 50 条
[1]
湿法蚀刻设备
[P].
李轸雨
论文数:
0
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0
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0
李轸雨
;
崔溶俊
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0
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崔溶俊
;
金石训
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金石训
;
辛承敃
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辛承敃
;
车知勋
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车知勋
.
中国专利
:CN110875225A
,2020-03-10
[2]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
夏青林
论文数:
0
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0
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0
夏青林
.
中国专利
:CN106992136A
,2017-07-28
[3]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
吴祥
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0
吴祥
;
李卫民
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李卫民
.
中国专利
:CN115148643A
,2022-10-04
[4]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
吴祥
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0
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0
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机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
吴祥
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李卫民
.
中国专利
:CN115148643B
,2025-05-13
[5]
湿法蚀刻设备
[P].
尹易彪
论文数:
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0
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0
尹易彪
.
中国专利
:CN107316826A
,2017-11-03
[6]
晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
[P].
彭国豪
论文数:
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彭国豪
;
曾国邦
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曾国邦
.
中国专利
:CN1959938B
,2007-05-09
[7]
一种湿法蚀刻设备
[P].
尹爀俊
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
尹爀俊
;
欧阳春炜
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
欧阳春炜
;
李述蕾
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
李述蕾
;
王强
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
王强
.
中国专利
:CN117945663A
,2024-04-30
[8]
湿法蚀刻方法
[P].
唐磊
论文数:
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机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
唐磊
;
邱宗钰
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机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
邱宗钰
;
陈庆鸿
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机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
陈庆鸿
.
中国专利
:CN119049965A
,2024-11-29
[9]
湿法蚀刻剂组合物
[P].
南场哲
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南场哲
;
丸山岳人
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丸山岳人
;
阿部久起
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阿部久起
;
青山哲男
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青山哲男
.
中国专利
:CN1397090A
,2003-02-12
[10]
一种湿法蚀刻设备
[P].
尹爀俊
论文数:
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
尹爀俊
;
欧阳春炜
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
欧阳春炜
;
李述蕾
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
李述蕾
;
王强
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机构:
赛德半导体有限公司
赛德半导体有限公司
王强
.
中国专利
:CN117945663B
,2025-07-18
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