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湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
被引:0
申请号
:
CN202210938351.1
申请日
:
2022-08-05
公开(公告)号
:
CN115148643A
公开(公告)日
:
2022-10-04
发明(设计)人
:
吴祥
李卫民
申请人
:
申请人地址
:
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号
:
H01L2167
IPC分类号
:
H01L21311
代理机构
:
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
:
余明伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-10-04
公开
公开
共 50 条
[1]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
吴祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
吴祥
;
论文数:
引用数:
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机构:
李卫民
.
中国专利
:CN115148643B
,2025-05-13
[2]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
夏青林
论文数:
0
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0
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0
夏青林
.
中国专利
:CN106992136A
,2017-07-28
[3]
湿法蚀刻设备
[P].
尹易彪
论文数:
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0
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0
尹易彪
.
中国专利
:CN107316826A
,2017-11-03
[4]
晶圆湿法蚀刻方法及湿法蚀刻装置
[P].
周泽坤
论文数:
0
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0
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0
机构:
广州增芯科技有限公司
广州增芯科技有限公司
周泽坤
.
中国专利
:CN120637220A
,2025-09-12
[5]
晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
[P].
彭国豪
论文数:
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彭国豪
;
曾国邦
论文数:
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曾国邦
.
中国专利
:CN1959938B
,2007-05-09
[6]
湿法蚀刻方法
[P].
唐磊
论文数:
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机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
唐磊
;
邱宗钰
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机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
邱宗钰
;
陈庆鸿
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机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
陈庆鸿
.
中国专利
:CN119049965A
,2024-11-29
[7]
湿法蚀刻设备
[P].
李轸雨
论文数:
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李轸雨
;
崔溶俊
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
崔溶俊
;
金石训
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金石训
;
辛承敃
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
辛承敃
;
车知勋
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
车知勋
.
韩国专利
:CN110875225B
,2024-12-17
[8]
湿法蚀刻设备
[P].
李轸雨
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李轸雨
;
崔溶俊
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崔溶俊
;
金石训
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金石训
;
辛承敃
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辛承敃
;
车知勋
论文数:
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车知勋
.
中国专利
:CN110875225A
,2020-03-10
[9]
湿法蚀刻装置及方法
[P].
廖世保
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廖世保
;
颜崧义
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颜崧义
;
冉琦
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冉琦
;
荣楠
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荣楠
.
中国专利
:CN101397667A
,2009-04-01
[10]
一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法
[P].
唐恝
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
唐恝
;
范凯平
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
范凯平
;
邓梓阳
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
邓梓阳
;
姚晓薇
论文数:
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
姚晓薇
;
卢淑欣
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
卢淑欣
;
于倩倩
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
于倩倩
.
中国专利
:CN116387185B
,2025-12-16
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