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晶圆湿法蚀刻方法及湿法蚀刻装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510848867.0
申请日
:
2025-06-23
公开(公告)号
:
CN120637220A
公开(公告)日
:
2025-09-12
发明(设计)人
:
周泽坤
申请人
:
广州增芯科技有限公司
申请人地址
:
511365 广东省广州市增城区宁西街创优路333号
IPC主分类号
:
H01L21/306
IPC分类号
:
H01L21/67
H01L21/66
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
崔熠
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-12
公开
公开
2025-09-30
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306申请日:20250623
共 50 条
[1]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
夏青林
论文数:
0
引用数:
0
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0
夏青林
.
中国专利
:CN106992136A
,2017-07-28
[2]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
吴祥
论文数:
0
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0
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0
吴祥
;
李卫民
论文数:
0
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0
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0
李卫民
.
中国专利
:CN115148643A
,2022-10-04
[3]
湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法
[P].
吴祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
吴祥
;
论文数:
引用数:
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机构:
李卫民
.
中国专利
:CN115148643B
,2025-05-13
[4]
湿法蚀刻方法
[P].
唐磊
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
唐磊
;
邱宗钰
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
邱宗钰
;
陈庆鸿
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
陈庆鸿
.
中国专利
:CN119049965A
,2024-11-29
[5]
晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
[P].
彭国豪
论文数:
0
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0
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0
彭国豪
;
曾国邦
论文数:
0
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0
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0
曾国邦
.
中国专利
:CN1959938B
,2007-05-09
[6]
湿法蚀刻装置及方法
[P].
廖世保
论文数:
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廖世保
;
颜崧义
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0
颜崧义
;
冉琦
论文数:
0
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0
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0
冉琦
;
荣楠
论文数:
0
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0
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0
荣楠
.
中国专利
:CN101397667A
,2009-04-01
[7]
一种半导体晶圆湿法蚀刻装置
[P].
江富杰
论文数:
0
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0
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0
江富杰
.
中国专利
:CN208923040U
,2019-05-31
[8]
一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法
[P].
唐恝
论文数:
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0
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0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
唐恝
;
范凯平
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0
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
范凯平
;
邓梓阳
论文数:
0
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0
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0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
邓梓阳
;
姚晓薇
论文数:
0
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0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
姚晓薇
;
卢淑欣
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0
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0
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0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
卢淑欣
;
于倩倩
论文数:
0
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0
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0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
于倩倩
.
中国专利
:CN116387185B
,2025-12-16
[9]
一种晶圆湿法蚀刻辅助装置
[P].
黄仁贵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都海威华芯科技有限公司
成都海威华芯科技有限公司
黄仁贵
.
中国专利
:CN221613840U
,2024-08-27
[10]
一种晶圆湿法蚀刻装置
[P].
王静强
论文数:
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引用数:
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机构:
昆山基侑电子科技有限公司
昆山基侑电子科技有限公司
王静强
;
胡兴华
论文数:
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机构:
昆山基侑电子科技有限公司
昆山基侑电子科技有限公司
胡兴华
;
徐福兴
论文数:
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0
机构:
昆山基侑电子科技有限公司
昆山基侑电子科技有限公司
徐福兴
.
中国专利
:CN222720355U
,2025-04-04
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