晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510118748.2

申请日：

2005-10-31

公开(公告)号：

CN1959938B

公开(公告)日：

2007-05-09

发明(设计)人：

彭国豪曾国邦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21311 H01L213213 H01L2100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-29	授权	授权
2020-10-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20051031 授权公告日:20100929 终止日期:20191031
2007-05-09	公开	公开

共 50 条

[1]

湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法 [P].

夏青林 .

中国专利 :CN106992136A ,2017-07-28

[2]

湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法 [P].

吴祥 ;

李卫民 .

中国专利 :CN115148643A ,2022-10-04

[3]

湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法 [P].

吴祥 ;

李卫民 .

中国专利 :CN115148643B ,2025-05-13

[4]

晶圆湿法蚀刻方法及湿法蚀刻装置 [P].

周泽坤 .

中国专利 :CN120637220A ,2025-09-12

[5]

湿法蚀刻方法 [P].

唐磊 ;

邱宗钰 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN119049965A ,2024-11-29

[6]

湿法蚀刻装置 [P].

段海东 ;

赖力彰 ;

肖方 ;

张正荣 .

中国专利 :CN101246807A ,2008-08-20

[7]

湿法蚀刻设备 [P].

尹易彪 .

中国专利 :CN107316826A ,2017-11-03

[8]

湿法蚀刻装置及方法 [P].

廖世保 ;

颜崧义 ;

冉琦 ;

荣楠 .

中国专利 :CN101397667A ,2009-04-01

[9]

一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法 [P].

唐恝 ;

范凯平 ;

邓梓阳 ;

姚晓薇 ;

卢淑欣 ;

于倩倩 .

中国专利 :CN116387185B ,2025-12-16

[10]

湿法蚀刻设备 [P].

李轸雨 ;

崔溶俊 ;

金石训 ;

辛承敃 ;

车知勋 .

韩国专利 :CN110875225B ,2024-12-17

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