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膜层的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011051630.3
申请日：
2020-09-29
公开(公告)号：
CN114334796B
公开(公告)日：
2025-01-17
发明(设计)人：
王中磊
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-01-17 授权 授权
共 50 条
[1]
膜层的形成方法 [P]. 
王中磊 .
中国专利 :CN114334796A ,2022-04-12
[2]
图案化掩膜层的形成方法 [P]. 
余桥 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN113496878A ,2021-10-12
[3]
掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P]. 
徐载景 ;
张迎春 .
中国专利 :CN102097362A ,2011-06-15
[4]
掩膜层的形成方法、互连结构的形成方法和检测方法 [P]. 
张京晶 ;
陈昵 .
中国专利 :CN104103500B ,2014-10-15
[5]
叠层结构的形成方法以及互连结构的形成方法 [P]. 
邓浩 .
中国专利 :CN104979268A ,2015-10-14
[6]
提高膜层应力的方法以及高应力层的形成方法 [P]. 
陈能国 ;
蔡腾群 ;
黄建中 .
中国专利 :CN101220470A ,2008-07-16
[7]
硅化钨层的形成方法 [P]. 
元济亨 .
中国专利 :CN1377064A ,2002-10-30
[8]
SiGe层的形成方法 [P]. 
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN103972065A ,2014-08-06
[9]
介质层的形成方法 [P]. 
汪钉崇 ;
蓝受龙 ;
杨小明 .
中国专利 :CN100517600C ,2008-04-02
[10]
硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P]. 
安辉 .
中国专利 :CN101441996B ,2009-05-27
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