SiGe层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410187137.2

申请日：

2014-05-05

公开(公告)号：

CN103972065A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

肖磊王敬梁仁荣许军

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

H01L21203

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586668931 IPC(主分类):H01L 21/266 专利申请号:2014101871372 申请日:20140505
2019-06-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/266 申请公布日:20140806
2014-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

介质层的形成方法 [P].

汪钉崇 ;

蓝受龙 ;

杨小明 .

中国专利 :CN100517600C ,2008-04-02

[2]

膜层的形成方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN114334796B ,2025-01-17

[3]

具有SiGe沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972105A ,2014-08-06

[4]

膜层的形成方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN114334796A ,2022-04-12

[5]

具有SiGe源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972106A ,2014-08-06

[6]

具有SiGe源漏的FinFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972107A ,2014-08-06

[7]

栅介质层的形成方法 [P].

陈旺 ;

何永根 ;

刘云珍 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101393861A ,2009-03-25

[8]

阻挡层的形成方法 [P].

聂佳相 .

中国专利 :CN101764083B ,2010-06-30

[9]

SiGeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839788A ,2014-06-04

[10]

SiGeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839774A ,2014-06-04

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