一种坩埚组件及制备碳化硅晶体的坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420288589.9

申请日：

2024-02-07

公开(公告)号：

CN222540921U

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

于国建请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

广州南砂晶圆半导体技术有限公司

申请人地址：

511462 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路8号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

广州颁码知识产权代理事务所(普通合伙) 44977

代理人：

高雁

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于制备碳化硅晶体的坩埚 [P].

高宇 ;

邓树军 ;

段聪 ;

赵梅玉 ;

陶莹 .

中国专利 :CN203820924U ,2014-09-10

[2]

一种碳化硅晶体生长的坩埚结构 [P].

陶莹 ;

高宇 ;

段聪 ;

赵梅玉 ;

邓树军 .

中国专利 :CN203096233U ,2013-07-31

[3]

一种用于生长碳化硅晶体的坩埚 [P].

巴音图 ;

陶莹 ;

高宇 ;

邓树军 ;

赵梅玉 ;

段聪 .

中国专利 :CN203569242U ,2014-04-30

[4]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[5]

一种生长碳化硅晶体的坩埚 [P].

刘曦 ;

徐红立 ;

余明轩 ;

侯磊 .

中国专利 :CN220393998U ,2024-01-26

[6]

坩埚、碳化硅晶体生长设备及坩埚制备方法 [P].

余剑云 .

中国专利 :CN119411218A ,2025-02-11

[7]

碳化硅晶体退火坩埚及退火装置 [P].

肖体康 ;

周玉洁 ;

潘尧波 ;

马远 ;

方秀亮 .

中国专利 :CN213172687U ,2021-05-11

[8]

碳化硅晶体退火坩埚及退火装置 [P].

李坚 ;

潘尧波 ;

马远 ;

关承浩 ;

周玉洁 .

中国专利 :CN212925229U ,2021-04-09

[9]

一种碳化硅晶体生长坩埚、装置 [P].

罗寅辉 ;

黄立文 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN223445686U ,2025-10-17

[10]

一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚 [P].

张松林 ;

周君君 .

中国专利 :CN205603723U ,2016-09-28

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