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原子层沉积系统
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202421371243.1
申请日
:
2024-06-14
公开(公告)号
:
CN222631553U
公开(公告)日
:
2025-03-18
发明(设计)人
:
孙锋
黄周师
何坤鹏
申请人
:
江苏先导微电子科技有限公司
申请人地址
:
221116 江苏省徐州市高新技术产业开发区先导南路2号
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/54
代理机构
:
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人
:
张向琨
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 徐州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-18
授权
授权
共 50 条
[1]
原子层沉积方法以及原子层沉积系统
[P].
邵大立
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
邵大立
;
史皓然
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
史皓然
;
齐彪
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
齐彪
;
李宇晗
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
李宇晗
;
陆淋康
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
陆淋康
;
刘子婵
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
刘子婵
;
马敬忠
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
马敬忠
.
中国专利
:CN117265510B
,2024-02-27
[2]
原子层沉积装置及原子层沉积系统
[P].
曹生贤
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曹生贤
.
中国专利
:CN106030848B
,2016-10-12
[3]
原子层沉积系统
[P].
郑文岸
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郑文岸
;
张光海
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张光海
;
李哲峰
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李哲峰
.
中国专利
:CN304993848S
,2019-01-11
[4]
原子层沉积系统
[P].
夏洋
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夏洋
;
万军
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万军
.
中国专利
:CN104032280B
,2014-09-10
[5]
原子层沉积设备
[P].
维罗·鲁道夫·茨尔曼斯
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维罗·鲁道夫·茨尔曼斯
;
马丁·迪南特·比克尔
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马丁·迪南特·比克尔
;
厄恩斯特·杜勒麦格
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厄恩斯特·杜勒麦格
;
吉多·利耶斯特
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吉多·利耶斯特
.
中国专利
:CN107208267A
,2017-09-26
[6]
原子层沉积设备
[P].
赵雷超
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赵雷超
;
史小平
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史小平
;
兰云峰
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兰云峰
;
秦海丰
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秦海丰
;
纪红
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纪红
;
张文强
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张文强
.
中国专利
:CN109576674B
,2019-04-05
[7]
原子层沉积装置
[P].
丁寅权
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丁寅权
.
中国专利
:CN104488067A
,2015-04-01
[8]
原子层沉积镀膜系统
[P].
陈桉苡
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安徽越好电子装备有限公司
安徽越好电子装备有限公司
陈桉苡
;
刘安徽
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机构:
安徽越好电子装备有限公司
安徽越好电子装备有限公司
刘安徽
;
黄俊凯
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机构:
安徽越好电子装备有限公司
安徽越好电子装备有限公司
黄俊凯
;
叶昌鑫
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安徽越好电子装备有限公司
安徽越好电子装备有限公司
叶昌鑫
;
沈纬徵
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安徽越好电子装备有限公司
安徽越好电子装备有限公司
沈纬徵
;
郑博鸿
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机构:
安徽越好电子装备有限公司
安徽越好电子装备有限公司
郑博鸿
.
中国专利
:CN118835217A
,2024-10-25
[9]
原子层沉积喷淋系统
[P].
闫晓晖
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
闫晓晖
;
周华
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
周华
;
聂翔宇
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
聂翔宇
;
江秋婷
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
江秋婷
.
中国专利
:CN119753639A
,2025-04-04
[10]
原子层沉积系统(1)
[P].
吕树玲
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吕树玲
;
万军
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万军
;
夏洋
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夏洋
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李超波
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李超波
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陈波
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陈波
.
中国专利
:CN301959904S
,2012-06-20
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