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低温共烧陶瓷用导电银浆及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510192827.5
申请日
:
2025-02-21
公开(公告)号
:
CN119694628A
公开(公告)日
:
2025-03-25
发明(设计)人
:
张苗
李阳
齐亚琴
李昭
郑驰
申请人
:
西安稀有金属材料研究院有限公司
申请人地址
:
710076 陕西省西安市高新区天谷七路996号西安国家数字出版基地C座2层
IPC主分类号
:
H01B1/16
IPC分类号
:
H01B1/18
H01B1/22
H01B1/24
H01B13/00
代理机构
:
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
:
刘红彬
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01B 1/16申请日:20250221
2025-03-25
公开
公开
共 50 条
[1]
一种用于低温共烧陶瓷面电极导电银浆及其制备方法
[P].
李岩
论文数:
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李岩
;
田雨祁
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田雨祁
;
陈将俊
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陈将俊
;
高珺
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高珺
;
纪煊
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纪煊
.
中国专利
:CN115691855A
,2023-02-03
[2]
一种低温共烧陶瓷基体用导电银浆及其制备方法
[P].
吴双
论文数:
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
吴双
;
袁俊武
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
袁俊武
;
张博
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
张博
;
黄培菊
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
黄培菊
.
中国专利
:CN119008076B
,2025-02-11
[3]
一种低温共烧陶瓷基体用导电银浆及其制备方法
[P].
吴双
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
吴双
;
袁俊武
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
袁俊武
;
张博
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
张博
;
黄培菊
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机构:
深圳市深云基新材料科技有限公司
深圳市深云基新材料科技有限公司
黄培菊
.
中国专利
:CN119008076A
,2024-11-22
[4]
一种低温共烧陶瓷内导电银浆及其制备方法
[P].
姚英邦
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姚英邦
;
胡永才
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胡永才
;
李毅
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李毅
;
许一文
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许一文
;
毕道广
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毕道广
;
焦志伟
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焦志伟
;
郭劲
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郭劲
;
陈先义
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陈先义
;
鲁圣国
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鲁圣国
;
陶涛
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陶涛
;
梁波
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梁波
.
中国专利
:CN112614608B
,2021-04-06
[5]
应用于低温共烧陶瓷的灌孔导电银浆及其制备方法
[P].
兰开东
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兰开东
.
中国专利
:CN106935308A
,2017-07-07
[6]
一种用于低温共烧陶瓷基板的导电银浆及其制备方法
[P].
陈立桥
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陈立桥
.
中国专利
:CN108735343A
,2018-11-02
[7]
一种低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆及其制备方法
[P].
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机构:
陈林
;
肖美慧
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机构:
中国科学院合肥物质科学研究院
中国科学院合肥物质科学研究院
肖美慧
;
论文数:
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机构:
田兴友
;
论文数:
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机构:
孙俊
;
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机构:
李潇潇
;
论文数:
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机构:
胡坤
;
论文数:
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机构:
宫艺
;
论文数:
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机构:
张献
;
论文数:
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机构:
王化
.
中国专利
:CN117393201A
,2024-01-12
[8]
一种用于共烧陶瓷内电极导电银浆及其制备方法
[P].
易雪
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机构:
西都科技(深圳)有限公司
西都科技(深圳)有限公司
易雪
;
李俊刚
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机构:
西都科技(深圳)有限公司
西都科技(深圳)有限公司
李俊刚
;
李锶远
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机构:
西都科技(深圳)有限公司
西都科技(深圳)有限公司
李锶远
;
李艳军
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机构:
西都科技(深圳)有限公司
西都科技(深圳)有限公司
李艳军
.
中国专利
:CN119361210A
,2025-01-24
[9]
用于低温共烧微波介质陶瓷的内电极导电银浆及制备方法
[P].
兰开东
论文数:
0
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兰开东
;
汪九山
论文数:
0
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汪九山
.
中国专利
:CN105989909A
,2016-10-05
[10]
一种用于低温共烧陶瓷的高导电性填孔银浆及其制备方法
[P].
王凯
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王凯
;
程意
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程意
;
魏艳彪
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魏艳彪
;
李宁
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李宁
.
中国专利
:CN115064298A
,2022-09-16
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