玻璃通孔侧壁粗糙度的优化方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411687254.5
申请日
2024-11-25
公开(公告)号
CN119581331A
公开(公告)日
2025-03-07
发明(设计)人
张继华 蔡星周 李勇 李山 刘金旭 方针 傅觉锋 张柏川 陈宏伟
申请人
成都迈科科技有限公司
申请人地址
611731 四川省成都市高新区西芯大道4号创新中心D136号
IPC主分类号
H01L21/48
IPC分类号
C03C15/00
代理机构
成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241
代理人
李鹏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法 [P]. 
王兆祥 ;
严利均 ;
黄智林 ;
邱达燕 .
中国专利 :CN103839870B ,2014-06-04
[2]
一种玻璃盲槽侧壁粗糙度的优化加工方法 [P]. 
方小春 .
中国专利 :CN121159147A ,2025-12-19
[3]
改善沟槽侧壁粗糙度的方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119581323A ,2025-03-07
[4]
改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法 [P]. 
张振兴 ;
奚裴 .
中国专利 :CN102148184A ,2011-08-10
[5]
改善多晶硅侧壁粗糙度的制备方法 [P]. 
李士颜 ;
刘昊 ;
何志强 .
中国专利 :CN108231537A ,2018-06-29
[6]
粗糙度优化方法及装置 [P]. 
林岳明 .
中国专利 :CN119596633A ,2025-03-11
[7]
一种刻蚀沟槽及通孔线边缘粗糙度优化方法 [P]. 
陈敏腾 ;
杨秀静 .
中国专利 :CN120164791A ,2025-06-17
[8]
开口的侧壁上的粗糙度的减小 [P]. 
C·J·甘比 ;
D·D·施里拉姆 ;
I·V·瓦西里耶沃 .
中国专利 :CN111489967A ,2020-08-04
[9]
具有通孔的低表面粗糙度基材及其制造方法 [P]. 
金宇辉 .
中国专利 :CN109689584A ,2019-04-26
[10]
一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法 [P]. 
许开东 .
中国专利 :CN107611027A ,2018-01-19