用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210470510.6

申请日：

2012-11-20

公开(公告)号：

CN103839870B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

王兆祥严利均黄智林邱达燕

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249

代理人：

张静洁;徐雯琼

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583367007 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012104705106 申请日:20121120
2016-08-17	授权	授权
2014-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法 [P].

许开东 .

中国专利 :CN107611027A ,2018-01-19

[2]

玻璃通孔侧壁粗糙度的优化方法 [P].

张继华 ;

蔡星周 ;

李勇 ;

李山 ;

刘金旭 ;

方针 ;

傅觉锋 ;

张柏川 ;

陈宏伟 .

中国专利 :CN119581331A ,2025-03-07

[3]

改善沟槽侧壁粗糙度的方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119581323A ,2025-03-07

[4]

改善多晶硅侧壁粗糙度的制备方法 [P].

李士颜 ;

刘昊 ;

何志强 .

中国专利 :CN108231537A ,2018-06-29

[5]

改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN114429902A ,2022-05-03

[6]

改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102148184A ,2011-08-10

[7]

一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN1851049A ,2006-10-25

[8]

改善AMR MEMS器件侧壁表面粗糙度的方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN105060240A ,2015-11-18

[9]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

刘翔宇 .

中国专利 :CN103390581A ,2013-11-13

[10]

一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法 [P].

王桂磊 ;

张严波 ;

亨利·雷德森 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN107132617B ,2017-09-05

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