一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710702048.0

申请日：

2017-08-16

公开(公告)号：

CN107611027A

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

许开东

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

孟海娟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请公布日:20180119
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20170816
2018-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN114429902A ,2022-05-03

[2]

用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法 [P].

王兆祥 ;

严利均 ;

黄智林 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN103839870B ,2014-06-04

[3]

改善沟槽侧壁粗糙度的方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119581323A ,2025-03-07

[4]

改善多晶硅侧壁粗糙度的制备方法 [P].

李士颜 ;

刘昊 ;

何志强 .

中国专利 :CN108231537A ,2018-06-29

[5]

改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102148184A ,2011-08-10

[6]

一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN1851049A ,2006-10-25

[7]

一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法 [P].

王桂磊 ;

张严波 ;

亨利·雷德森 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN107132617B ,2017-09-05

[8]

改善AMR MEMS器件侧壁表面粗糙度的方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN105060240A ,2015-11-18

[9]

玻璃通孔侧壁粗糙度的优化方法 [P].

张继华 ;

蔡星周 ;

李勇 ;

李山 ;

刘金旭 ;

方针 ;

傅觉锋 ;

张柏川 ;

陈宏伟 .

中国专利 :CN119581331A ,2025-03-07

[10]

改善硅锗淀积表面粗糙度的方法 [P].

陈帆 ;

徐炯 ;

范永洁 ;

季伟 ;

张海芳 .

中国专利 :CN102136423A ,2011-07-27

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