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一种旋转阴极磁场磁控溅射装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211463711.3
申请日：
2022-11-22
公开(公告)号：
CN116145091B
公开(公告)日：
2025-04-04
发明(设计)人：
吴纯恩 安辉 陆艳君 孙丹 邓文宇 杨双 蒋立正 齐丽君 陈晓东 侯强 安跃军
申请人：
沈阳工业大学
申请人地址：
110870 辽宁省沈阳市沈阳经济技术开发区沈辽西路111号
IPC主分类号：
C23C14/35
IPC分类号：
C23C14/54 H01J37/34
代理机构：
沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107
代理人：
邵明新
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-04 授权 授权
共 50 条
[1]
旋转阴极磁场磁控溅射装置 [P]. 
张晓军 ;
龚文志 .
中国专利 :CN308485241S ,2024-02-23
[2]
一种旋转靶磁控溅射阴极磁场装置 [P]. 
吴纯恩 ;
安辉 ;
陆艳君 ;
孙丹 ;
邓文宇 ;
杨双 ;
蒋立正 ;
齐丽君 ;
侯强 ;
李立红 ;
袁静 ;
唐志英 ;
关恩禄 ;
安跃军 .
中国专利 :CN115522172B ,2024-10-29
[3]
一种旋转靶磁控溅射阴极磁场装置 [P]. 
吴纯恩 ;
安辉 ;
陆艳君 ;
孙丹 ;
邓文宇 ;
杨双 ;
蒋立正 ;
齐丽君 ;
侯强 ;
李立红 ;
袁静 ;
唐志英 ;
关恩禄 ;
安跃军 .
中国专利 :CN115522172A ,2022-12-27
[4]
磁控溅射旋转阴极 [P]. 
李忠 .
中国专利 :CN213086094U ,2021-04-30
[5]
一种磁控溅射旋转阴极结构 [P]. 
胡超川 ;
傅强 ;
朱磊 ;
毛祖攀 .
中国专利 :CN221918205U ,2024-10-29
[6]
一种磁控溅射用旋转阴极 [P]. 
张君春 ;
孙法鋆 ;
卞勇 ;
方赟 .
中国专利 :CN212335275U ,2021-01-12
[7]
一种磁控溅射旋转阴极结构 [P]. 
胡超川 ;
傅强 ;
朱磊 ;
毛祖攀 .
中国专利 :CN118166325A ,2024-06-11
[8]
一种真空磁控溅射旋转阴极 [P]. 
谢建军 ;
高文波 .
中国专利 :CN203222615U ,2013-10-02
[9]
磁控溅射旋转阴极支撑端头 [P]. 
陈诚 ;
张少波 ;
刘月豹 ;
钟汝梅 ;
任丹 ;
孔德辉 .
中国专利 :CN205241784U ,2016-05-18
[10]
磁控溅射旋转阴极支撑端头 [P]. 
陈诚 ;
张少波 ;
刘月豹 ;
钟汝梅 ;
任丹 ;
孔德辉 .
中国专利 :CN105401126A ,2016-03-16
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