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一种双层钝化耗尽型MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210434393.1
申请日：
2022-04-24
公开(公告)号：
CN114937597B
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
李祥东 袁嘉惠 王峻博 王萌 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/47 H10D64/68
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-11 授权 授权
共 50 条
[1]
一种双层钝化耗尽型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
袁嘉惠 ;
王峻博 ;
王萌 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114937597A ,2022-08-23
[2]
一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
袁嘉惠 ;
王萌 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114823891A ,2022-07-29
[3]
一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
袁嘉惠 ;
王萌 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114823891B ,2025-12-05
[4]
实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P]. 
李夏珺 ;
张宝顺 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
付凯 ;
张志利 ;
孙世闯 ;
宋亮 .
中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23
[5]
一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
袁嘉惠 ;
王萌 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114725214A ,2022-07-08
[6]
一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法 [P]. 
李迈克 .
中国专利 :CN110556423A ,2019-12-10
[7]
增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
孙慧卿 ;
夏凡 ;
夏晓宇 ;
谭秀洋 ;
马建铖 ;
张淼 ;
李渊 .
中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01
[8]
基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
王萌 ;
袁嘉惠 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09
[9]
基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
王萌 ;
袁嘉惠 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22
[10]
一种增强型槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
翟丽荔 ;
游淑珍 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119815865A ,2025-04-11
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