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应用于半导体制造过程中的晶圆的定位系统、方法和装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411547357.1
申请日：
2024-11-01
公开(公告)号：
CN119069408B
公开(公告)日：
2025-04-01
发明(设计)人：
汪海东
申请人：
鸿舸半导体设备（上海）有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区临港新片区天骄路399号2号多层厂房
IPC主分类号：
H01L21/68
IPC分类号：
H01L21/67
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
彭星
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省 衢州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-20 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/68申请日:20241101
2025-04-01 授权 授权
2024-12-03 公开 公开
共 50 条
[1]
应用于半导体制造过程中的晶圆的定位系统、方法和装置 [P]. 
汪海东 .
中国专利 :CN119069408A ,2024-12-03
[2]
半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及系统 [P]. 
张磊 ;
叶思龙 ;
刘畅 ;
王树平 .
中国专利 :CN119600022B ,2025-05-16
[3]
半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及系统 [P]. 
张磊 ;
叶思龙 ;
刘畅 ;
王树平 .
中国专利 :CN119600022A ,2025-03-11
[4]
应用于半导体制造过程中的数据展示方法及装置 [P]. 
王俊博 ;
黄俊林 ;
曹磊 ;
邢雪阳 .
中国专利 :CN120804166A ,2025-10-17
[5]
半导体制造过程中的决定方法 [P]. 
A·胡包克斯 ;
J·F·M·贝克尔斯 ;
D·J·D·戴维斯 ;
J·G·C·昆尼 ;
W·R·彭格斯 ;
A·R·戴韦尔 ;
李忠勳 ;
G·齐萝扬尼斯 ;
H·C·A·博格 ;
F·E·德荣格 ;
J·M·冈萨雷斯韦斯卡 ;
A·V·霍洛德 ;
M·皮萨连科 .
:CN113366390B ,2024-02-20
[6]
半导体制造过程中的决定方法 [P]. 
A·胡包克斯 ;
J·F·M·贝克尔斯 ;
D·J·D·戴维斯 ;
J·G·C·昆尼 ;
W·R·彭格斯 ;
A·R·戴韦尔 ;
李忠勳 ;
G·齐萝扬尼斯 ;
H·C·A·博格 ;
F·E·德荣格 ;
J·M·冈萨雷斯韦斯卡 ;
A·V·霍洛德 ;
M·皮萨连科 .
中国专利 :CN113366390A ,2021-09-07
[7]
一种应用于半导体制造过程中晶圆表面摩擦系数的确定方法和装置 [P]. 
祝文静 .
中国专利 :CN119251233A ,2025-01-03
[8]
一种应用于半导体制造过程中晶圆表面摩擦系数的确定方法和装置 [P]. 
祝文静 .
中国专利 :CN119251233B ,2025-03-21
[9]
在半导体制造过程中应用沉积模式的方法 [P]. 
M·皮萨连科 ;
M·范德斯卡 ;
张怀辰 ;
玛丽亚-克莱尔·范拉尔 .
中国专利 :CN114026500A ,2022-02-08
[10]
在半导体制造过程中应用沉积模式的方法 [P]. 
M·皮萨连科 ;
M·范德斯卡 ;
张怀辰 ;
玛丽亚-克莱尔·范拉尔 .
:CN114026500B ,2025-01-03
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