抗蚀剂底层组成物及使用所述组成物形成图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080012809.X

申请日：

2020-03-23

公开(公告)号：

CN113396364B

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

崔有廷权纯亨金旼秀朴贤裵信孝白载烈

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

G03F7/20 G03F7/26 G03F7/16

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

郑乐;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

抗蚀剂底层组成物及使用所述组成物形成图案的方法 [P].

崔有廷 ;

权纯亨 ;

金旼秀 ;

朴贤 ;

裵信孝 ;

白载烈 .

中国专利 :CN113396364A ,2021-09-14

[2]

抗蚀剂底层组成物及使用组成物形成图案的方法 [P].

金圣振 ;

文情寅 ;

林昌模 ;

黄丙奎 ;

阵和英 ;

金秀贞 ;

李恩受 ;

李智惠 ;

李在珉 ;

张俊英 ;

曹雅罗 ;

崔有廷 ;

郑盛宇 .

韩国专利 :CN121006119A ,2025-11-25

[3]

抗蚀剂垫层组成物和使用所述组成物形成图案的方法 [P].

裵信孝 ;

权纯亨 ;

朴贤 ;

白载烈 ;

周范俊 ;

崔有廷 ;

韩权愚 .

中国专利 :CN108388079A ,2018-08-10

[4]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

藤原敬之 ;

及川健一 ;

大桥正树 ;

小林知洋 .

日本专利 :CN111522198B ,2024-01-26

[5]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

大桥正树 ;

片山和弘 ;

山平达也 ;

大友雄太郎 ;

大山皓介 .

日本专利 :CN118112887A ,2024-05-31

[6]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

大桥正树 ;

橘诚一郎 ;

菊地骏 ;

半田龙之介 .

日本专利 :CN118259547A ,2024-06-28

[7]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

菊地骏 ;

草间理志 ;

半田龙之介 ;

大桥正树 .

日本专利 :CN120406047A ,2025-08-01

[8]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

草间理志 ;

大山皓介 ;

菊地骏 ;

大桥正树 .

日本专利 :CN120779667A ,2025-10-14

[9]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

藤原敬之 ;

及川健一 ;

大桥正树 ;

小林知洋 .

中国专利 :CN111522198A ,2020-08-11

[10]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

林伝文 ;

筑波标 ;

须田祐贵 ;

福岛将大 .

日本专利 :CN120972455A ,2025-11-18

← 1 2 3 4 5 →