抗蚀剂底层组成物及使用组成物形成图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510670484.9

申请日：

2025-05-23

公开(公告)号：

CN121006119A

公开(公告)日：

2025-11-25

发明(设计)人：

金圣振文情寅林昌模黄丙奎阵和英金秀贞李恩受李智惠李在珉张俊英曹雅罗崔有廷郑盛宇

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号

IPC主分类号：

C09D133/14

IPC分类号：

G03F7/09 C09D133/10 C08F8/18 C08F220/32 C08F220/18 C08F220/14

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨泽;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	公开	公开
2025-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09D 133/14申请日:20250523

共 50 条

[1]

抗蚀剂底层组成物及使用所述组成物形成图案的方法 [P].

崔有廷 ;

权纯亨 ;

金旼秀 ;

朴贤 ;

裵信孝 ;

白载烈 .

中国专利 :CN113396364A ,2021-09-14

[2]

抗蚀剂底层组成物及使用所述组成物形成图案的方法 [P].

崔有廷 ;

权纯亨 ;

金旼秀 ;

朴贤 ;

裵信孝 ;

白载烈 .

韩国专利 :CN113396364B ,2025-05-13

[3]

抗蚀剂垫层组成物和使用所述组成物形成图案的方法 [P].

裵信孝 ;

权纯亨 ;

朴贤 ;

白载烈 ;

周范俊 ;

崔有廷 ;

韩权愚 .

中国专利 :CN108388079A ,2018-08-10

[4]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

藤原敬之 ;

及川健一 ;

大桥正树 ;

小林知洋 .

日本专利 :CN111522198B ,2024-01-26

[5]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

大桥正树 ;

片山和弘 ;

山平达也 ;

大友雄太郎 ;

大山皓介 .

日本专利 :CN118112887A ,2024-05-31

[6]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

大桥正树 ;

橘诚一郎 ;

菊地骏 ;

半田龙之介 .

日本专利 :CN118259547A ,2024-06-28

[7]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

菊地骏 ;

草间理志 ;

半田龙之介 ;

大桥正树 .

日本专利 :CN120406047A ,2025-08-01

[8]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

草间理志 ;

大山皓介 ;

菊地骏 ;

大桥正树 .

日本专利 :CN120779667A ,2025-10-14

[9]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

藤原敬之 ;

及川健一 ;

大桥正树 ;

小林知洋 .

中国专利 :CN111522198A ,2020-08-11

[10]

抗蚀剂组成物及图案形成方法 [P].

林伝文 ;

筑波标 ;

须田祐贵 ;

福岛将大 .

日本专利 :CN120972455A ,2025-11-18

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