基板上に金属層を無電解成膜する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230515317

申请日：

2021-08-23

公开(公告)号：

JP2023548732A

公开(公告)日：

2023-11-21

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C18/18

IPC分类号：

C23C18/40

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共 50 条

[1]

基板上に透明導電体を製作する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016509332A ,2016-03-24

[2]

基板上に材料を堆積する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023510076A ,2023-03-13

[3]

基材上にＰｄ−Ａｕ合金層を形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019522731A ,2019-08-15

[4]

金属基材上にプラチナ系金属基層をめっきするための電解質の浴を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015514873A ,2015-05-21

[5]

シリコンを基板上に形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016521244A ,2016-07-21

[6]

電子素子を基板上に形成された電極上に配置して電気的に接合する方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010061518A1 ,2012-04-19

[7]

無電解銅メッキをする方法、及び無電解銅メッキのための触媒溶液を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP6184578B1 ,2017-08-23

[8]

無電解めっき用触媒付与浴、触媒核を含む無電解めっき対象材料を製造する方法、無電解めっき皮膜を含む材料を製造する方法、無電解めっき皮膜を含む材料[ja] [P].

NAKANO NAOKI ;

ODAJIMA MAI ;

MAEDA TSUYOSHI ;

TANABE KATSUHISA .

日本专利 :JP2024088320A ,2024-07-02

[9]

原子層堆積法による成膜方法[ja] [P].

日本专利 :JP7541305B1 ,2024-08-28

[10]

原子層堆積法による成膜方法[ja] [P].

YAMAUCHI AKIYOSHI ;

MATSUNAGA TAKAYUKI ;

KISHIKAWA YOSUKE ;

HORIGUCHI KAZUTAKA ;

NAKAMURA SHINGO ;

KOSAKA SHIGEHITO ;

SHIMOGAKI YUKIHIRO ;

MOMOSE TAKESHI ;

DEURA MOMOKO ;

SATO NOBORU ;

YAMAGUCHI JUN .

日本专利 :JP2024120193A ,2024-09-05

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