半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311694866.2
申请日
2023-12-11
公开(公告)号
CN120142880A
公开(公告)日
2025-06-13
发明(设计)人
陶国桥
申请人
苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
IPC主分类号
G01R31/26
IPC分类号
代理机构
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人
宗广静
法律状态
授权
国省代码
江苏省 苏州市
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共 50 条
[1]
半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置 [P]. 
陶国桥 .
中国专利 :CN120142880B ,2025-12-26
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