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用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510408139.8
申请日：
2021-12-15
公开(公告)号：
CN120261403A
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
吴邕辉 阮文征 F·塔希尔 D·阿德南 唐文杰 M·G·卡斯托里纳
申请人：
意法半导体有限公司
申请人地址：
新加坡城
IPC主分类号：
H01L23/29
IPC分类号：
H01L23/31 H10D30/66
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
张宁;闫昊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-22 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/29申请日:20211215
2025-07-04 公开 公开
共 50 条
[1]
用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层 [P]. 
吴邕辉 ;
阮文征 ;
F·塔希尔 ;
D·阿德南 ;
唐文杰 ;
M·G·卡斯托里纳 .
:CN114639641B ,2025-04-25
[2]
用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层 [P]. 
吴邕辉 ;
阮文征 ;
F·塔希尔 ;
D·阿德南 ;
唐文杰 ;
M·G·卡斯托里纳 .
中国专利 :CN114639641A ,2022-06-17
[3]
具有阻挡层的集成电路器件 [P]. 
李常铉 ;
金俊植 ;
蔡教锡 .
中国专利 :CN109285833A ,2019-01-29
[4]
集成电路芯片的钝化层 [P]. 
曾建平 ;
董梅 ;
马琳 .
中国专利 :CN101304023A ,2008-11-12
[5]
集成电路器件和制造集成电路器件的方法 [P]. 
古淑瑗 ;
孙志铭 ;
郑振辉 .
中国专利 :CN109817580B ,2019-05-28
[6]
集成电路器件和形成集成电路器件的方法 [P]. 
梁明 ;
徐康一 ;
尹承燦 .
韩国专利 :CN119835998A ,2025-04-15
[7]
制造集成电路器件的方法和集成电路器件 [P]. 
赖理学 ;
吴高铭 ;
姜慧如 ;
林仲德 .
中国专利 :CN114883249A ,2022-08-09
[8]
集成电路阻挡层和集成电路结构的制备方法 [P]. 
林江宏 .
中国专利 :CN101944504A ,2011-01-12
[9]
集成电路器件的金属之间的选择性扩散阻挡部 [P]. 
J·M·罗伯茨 ;
P·E·罗梅罗 ;
S·B·克伦德宁 ;
C·J·杰泽斯基 ;
R·V·舍比亚姆 .
中国专利 :CN106463412A ,2017-02-22
[10]
集成电路器件和制造该集成电路器件的方法 [P]. 
尹灿植 ;
李昊仁 ;
李基硕 ;
朴济民 .
中国专利 :CN108987406A ,2018-12-11
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