用于提供水分和质子阻挡部的集成电路器件的钝化层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510408139.8

申请日：

2021-12-15

公开(公告)号：

CN120261403A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

吴邕辉阮文征 F·塔希尔 D·阿德南唐文杰 M·G·卡斯托里纳

申请人：

意法半导体有限公司

申请人地址：

新加坡城

IPC主分类号：

H01L23/29

IPC分类号：

H01L23/31 H10D30/66

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张宁;闫昊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/29申请日:20211215
2025-07-04	公开	公开

共 50 条

[21]

集成电路器件和形成集成电路结构的方法 [P].

王俊杰 ;

黄国容 ;

白岳青 ;

杨怀德 .

中国专利 :CN111092052A ,2020-05-01

[22]

集成电路器件和形成集成电路结构的方法 [P].

陈彦廷 ;

赖柏宇 ;

李健玮 ;

宋学昌 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN111200023A ,2020-05-26

[23]

半导体集成电路器件和用于制造半导体集成电路器件的方法 [P].

山本直树 ;

田边义和 ;

小粥敬成 ;

吉田武彦 .

中国专利 :CN100552956C ,2004-07-28

[24]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

李源 ;

索姆·纳瑟 ;

马尔腾·范多特 .

中国专利 :CN102738104B ,2012-10-17

[25]

具有光学耦合层的集成电路器件 [P].

S·M·斯皮莱恩 ;

R·G·博索莱尔 .

中国专利 :CN101203783A ,2008-06-18

[26]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

裵德汉 ;

金盛民 ;

朴柱勋 ;

李留利 ;

郑润永 ;

洪秀妍 .

中国专利 :CN113782515A ,2021-12-10

[27]

具有接合中介层的集成电路器件 [P].

A·约翰曼 ;

W-B·莱翁 .

中国专利 :CN103887290A ,2014-06-25

[28]

集成电路器件及制备集成电路器件的方法 [P].

萨姆·齐昆·赵 ;

阿玛德雷兹·罗弗戈兰 ;

阿里亚·贝扎特 ;

吉泽斯·卡斯塔涅达 ;

迈克尔·伯尔斯 .

中国专利 :CN102299140A ,2011-12-28

[29]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

李真旭 ;

闵淙渶 ;

郑圭镐 ;

朴晙晳 ;

白智叡 ;

李叡璱 .

韩国专利 :CN119545789A ,2025-02-28

[30]

集成电路器件以及形成集成电路器件的方法 [P].

张富宸 ;

涂国基 ;

朱文定 .

中国专利 :CN111129069B ,2020-05-08

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