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一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510636513.X
申请日：
2025-05-17
公开(公告)号：
CN120215203A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
张丹丹
邱燕平
申请人：
广东派尔新材料科技有限公司
圣迈恩特新材料技术（深圳）有限公司
申请人地址：
523507 广东省东莞市企石镇清湖民营园路2号2号楼101室
IPC主分类号：
G03F1/48
IPC分类号：
G03F7/004
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
广东省
东莞市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-27 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/48申请日:20250517 |