半导体器件制备方法及半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN202511214140.3
申请日
2025-08-28
公开(公告)号
CN120730765A
公开(公告)日
2025-09-30
发明(设计)人
陈鹏飞 李芹 张旭 林祐丞
申请人
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/60
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
杨明莉
法律状态
公开
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[41]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
周成 .
中国专利 :CN120857544A ,2025-10-28
[42]
半导体器件及半导体器件的制备方法 [P]. 
惠利省 ;
杨国文 .
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[43]
半导体器件及半导体器件的制备方法 [P]. 
孙涛 ;
张帅 ;
冯家驹 .
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[44]
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眭小超 ;
卢文力 ;
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[45]
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魏晓光 ;
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刘辉 ;
李玲 ;
刘瑞 ;
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[47]
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[48]
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[49]
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[50]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
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