半导体器件制备方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511214140.3
申请日
2025-08-28
公开(公告)号
CN120730765A
公开(公告)日
2025-09-30
发明(设计)人
陈鹏飞 李芹 张旭 林祐丞
申请人
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/60
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
杨明莉
法律状态
公开
国省代码
天津市 市辖区
引用
下载
收藏
共 50 条
[31]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
聂午阳 .
中国专利 :CN119890046A ,2025-04-25
[32]
半导体器件的制备方法以及半导体器件 [P]. 
丁丽真 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 ;
靳耀乐 ;
王士超 ;
李洪江 ;
张强强 .
中国专利 :CN120091623A ,2025-06-03
[33]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
钱仕兵 .
中国专利 :CN112670246A ,2021-04-16
[34]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
上官明沁 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN113629008A ,2021-11-09
[35]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
许文山 .
中国专利 :CN110600369A ,2019-12-20
[36]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
熊伟 ;
陈华伦 ;
钱文生 ;
胡君 .
中国专利 :CN111128700A ,2020-05-08
[37]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
叶长福 ;
蔡亚萤 ;
吕佐文 ;
陈旋旋 ;
上官明沁 .
中国专利 :CN113658918A ,2021-11-16
[38]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
晋东坡 ;
罗夏 ;
阳黎明 ;
李钊 ;
黄永彬 .
中国专利 :CN118866711A ,2024-10-29
[39]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于贝贝 ;
方潇功 ;
张俊龙 ;
项少华 ;
王琛 .
中国专利 :CN118335686A ,2024-07-12
[40]
半导体器件及半导体器件的制备方法 [P]. 
程凯 .
中国专利 :CN115332073B ,2025-06-27