半导体器件制备方法及半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN202511214140.3
申请日
2025-08-28
公开(公告)号
CN120730765A
公开(公告)日
2025-09-30
发明(设计)人
陈鹏飞 李芹 张旭 林祐丞
申请人
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/60
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
杨明莉
法律状态
公开
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[21]
半导体器件、半导体器件的制备方法及射频开关器件 [P]. 
张旭 ;
周强 ;
李海艇 ;
李佳俊 .
中国专利 :CN119584586A ,2025-03-07
[22]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[23]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[24]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
李森 ;
刘涛 .
中国专利 :CN113161483B ,2021-07-23
[25]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
杨天应 ;
许建华 .
中国专利 :CN114447105A ,2022-05-06
[26]
半导体器件及半导体器件的制备方法 [P]. 
程凯 .
中国专利 :CN115332073A ,2022-11-11
[27]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28
[28]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
马跃 ;
袁家贵 ;
何云 .
中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15
[29]
半导体器件及半导体器件的制备方法 [P]. 
赵静 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108369946A ,2018-08-03
[30]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
吴沛飞 ;
魏晓光 ;
张语 ;
刘辉 ;
李玲 ;
刘瑞 ;
焦倩倩 ;
王凝一 .
中国专利 :CN118431075A ,2024-08-02