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一种基于HVPE设备生长高质量的氮化镓晶体及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510834437.3
申请日：
2025-06-20
公开(公告)号：
CN120758975A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
钟玉煌 张海涛 庞博
申请人：
无锡吴越半导体有限公司
申请人地址：
214000 江苏省无锡市新吴区漓江路11号
IPC主分类号：
C30B29/40
IPC分类号：
C30B25/18 H01L21/02
代理机构：
无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492
代理人：
王普慧
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 公开 公开
2025-10-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20250620
共 50 条
[1]
利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法 [P]. 
郝霄鹏 ;
李先磊 ;
张雷 ;
邵永亮 ;
吴拥中 ;
戴元滨 ;
田媛 ;
霍勤 .
中国专利 :CN103741221A ,2014-04-23
[2]
无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P]. 
修向前 ;
张荣 ;
陈琳 ;
谢自力 ;
顾书林 ;
施毅 ;
韩平 ;
沈波 ;
江若琏 ;
朱顺明 ;
胡立群 ;
郑有炓 .
中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29
[3]
利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法 [P]. 
郝霄鹏 ;
李先磊 ;
张雷 ;
邵永亮 ;
吴拥中 ;
戴元滨 ;
田媛 ;
霍勤 .
中国专利 :CN103741220A ,2014-04-23
[4]
横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P]. 
张荣 ;
修向前 ;
顾书林 ;
卢佃清 ;
毕朝霞 ;
沈波 ;
江若琏 ;
施毅 ;
朱顺明 ;
韩平 ;
胡立群 ;
郑有炓 .
中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08
[5]
一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法 [P]. 
张志荣 ;
尹甲运 ;
房玉龙 ;
芦伟立 ;
冯志红 .
中国专利 :CN105006427B ,2015-10-28
[6]
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 [P]. 
梁萌 ;
李鸿渐 ;
姚然 ;
李志聪 ;
李盼盼 ;
王兵 ;
李璟 ;
伊晓燕 ;
王军喜 ;
王国宏 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN102544271A ,2012-07-04
[7]
高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用 [P]. 
张涛 ;
刘宗亮 ;
徐科 ;
司志伟 ;
彭晓辉 .
中国专利 :CN120082955B ,2025-07-18
[8]
高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用 [P]. 
张涛 ;
刘宗亮 ;
徐科 ;
司志伟 ;
彭晓辉 .
中国专利 :CN120082955A ,2025-06-03
[9]
一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P]. 
白俊春 ;
周小伟 ;
景文甲 ;
李培咸 ;
平加峰 .
中国专利 :CN109524292A ,2019-03-26
[10]
一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P]. 
李亮 .
中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10
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