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工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411025872.3
申请日：
2024-07-29
公开(公告)号：
CN118969590B
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
都娴
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01J37/32
IPC分类号：
H01L21/3213
H01L21/67
代理机构：
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人：
骆宗力
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20240729 |
| 2024-11-15 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-10 | 授权 | 授权 |