半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410800485.6
申请日
2024-06-20
公开(公告)号
CN120834022A
公开(公告)日
2025-10-24
发明(设计)人
内藤大辅
申请人
捷进科技有限公司
申请人地址
日本山梨县
IPC主分类号
H01L21/60
IPC分类号
B05C5/02 B05C5/00 B05C11/10 B05D1/26
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
陈伟;刘伟志
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
藤森由树 ;
中岛宜久 .
日本专利 :CN119108305A ,2024-12-10
[2]
半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27
[3]
半导体制造装置、涂布装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
横森刚 ;
高柳健一 ;
小桥英晴 .
日本专利 :CN118398520A ,2024-07-26
[4]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
甲斐丈靖 ;
马场裕之 .
中国专利 :CN101445919B ,2009-06-03
[5]
半导体器件的制造方法及半导体制造装置 [P]. 
黑泽哲也 .
中国专利 :CN1577778A ,2005-02-09
[6]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
横森刚 ;
名久井勇辉 .
中国专利 :CN108346585A ,2018-07-31
[7]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
名久井勇辉 ;
冈本直树 ;
齐藤明 ;
横森刚 ;
二宫勇 .
中国专利 :CN108400096A ,2018-08-14
[8]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
中国专利 :CN109524320A ,2019-03-26
[9]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
中国专利 :CN108962784B ,2018-12-07
[10]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
大森龙葵 ;
保坂浩二 ;
依田光央 ;
大久保达行 ;
降矢国夫 .
日本专利 :CN117766426A ,2024-03-26