薄膜キャパシタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20240046819

申请日：

2024-03-22

公开(公告)号：

JP2025146179A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01G4/33

IPC分类号：

H01G4/008 H01G4/08 H01G4/12

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法律状态信息

共 50 条

[41]

薄膜キャパシタ及びその形成方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006028215A1 ,2008-05-08

[42]

積層セラミックキャパシタ用誘電体組成物、これを含む積層セラミックキャパシタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024520361A ,2024-05-24

[43]

統合されたエピタキシャル金属電極[ja] [P].

日本专利 :JP2019535134A ,2019-12-05

[44]

平面キャパシタを使用する低損失進行波パラメトリックデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025531094A ,2025-09-19

[45]

キャパシタ層形成用の誘電体層付銅箔並びにその誘電体層付銅箔を用いたキャパシタ層形成用の銅張積層板及びそのキャパシタ層形成用の誘電体層付銅箔の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004040604A1 ,2006-03-02

[46]

金属−酸化物−金属キャパシタ用の高容量絶縁体の選択的製作[ja] [P].

日本专利 :JP5680566B2 ,2015-03-04

[47]

負のキャパシタゲートを備えた高電子移動度トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2020526033A ,2020-08-27

[48]

カーボン基板上に金属酸化物の擬似キャパシタ材料を堆積することによって形成される複合電極を有するスーパーキャパシタ装置[ja] [P].

日本专利 :JP6150441B2 ,2017-06-21

[49]

カーボン基板上に金属酸化物の擬似キャパシタ材料を堆積することによって形成される複合電極を有するスーパーキャパシタ装置[ja] [P].

日本专利 :JP2015502033A ,2015-01-19

[50]

改良された線形性を有する金属酸化物半導体（ＭＯＳ）キャパシタ[ja] [P].

日本专利 :JP6312833B2 ,2018-04-18

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