一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202422985673.9
申请日
2024-12-04
公开(公告)号
CN223527181U
公开(公告)日
2025-11-07
发明(设计)人
邱志述 张明聪 张旭 韩深 李欢 肖季
申请人
成都先进功率半导体股份有限公司
申请人地址
611731 四川省成都市高新西区科新路8号
IPC主分类号
H01L25/18
IPC分类号
H10D80/20
代理机构
四川力久律师事务所 51221
代理人
林秋雅
法律状态
授权
国省代码
四川省 成都市
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共 50 条
[1]
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[10]
一种芯片的封装结构 [P]. 
徐虹 ;
陈栋 ;
金豆 ;
徐霞 ;
陈锦辉 ;
郑芳 .
中国专利 :CN213124421U ,2021-05-04