半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410565266.4

申请日：

2024-05-08

公开(公告)号：

CN120957471A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

张小燕王劲松刘赫陈亮

申请人：

中芯国际集成电路制造（天津）有限公司中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

300380 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D84/83 H10D84/03

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

潘彦君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240508
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107180861B ,2017-09-19

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114864689A ,2022-08-05

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

张小燕 ;

王劲松 ;

林新元 ;

陈亮 .

中国专利 :CN120957472A ,2025-11-14

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN105590859A ,2016-05-18

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114864691A ,2022-08-05

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