半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410525477.5

申请日：

2024-04-28

公开(公告)号：

CN120882025A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

李凯文花文涛赵振阳宋佳

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/67 H10D64/23 H10D64/27

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

方秀琴

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20240428

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构形成方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118486692A ,2024-08-13

[2]

半导体结构及半导体结构形成方法 [P].

余振华 ;

苏安治 ;

吴集锡 ;

叶德强 ;

吴仓聚 ;

邱文智 ;

叶名世 .

中国专利 :CN110444482B ,2019-11-12

[3]

半导体结构及半导体结构形成方法 [P].

陶大伟 .

中国专利 :CN112490244A ,2021-03-12

[4]

半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989B ,2024-10-29

[5]

半导体结构形成方法以及半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN114256153B ,2024-06-07

[6]

半导体结构形成方法以及半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN114256153A ,2022-03-29

[7]

半导体结构形成方法及半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN111696941A ,2020-09-22

[8]

半导体结构形成方法及半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN111696941B ,2024-12-06

[9]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[10]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

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