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一种共源共栅氮化镓HEMT器件结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511335814.5
申请日：
2025-09-18
公开(公告)号：
CN121174597A
公开(公告)日：
2025-12-19
发明(设计)人：
何清源
申请人：
深圳镓楠半导体科技有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坪山街道和平社区启运西路19号华瀚科技工业园厂房2栋201-A85
IPC主分类号：
H10D84/82
IPC分类号：
代理机构：
苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366
代理人：
周子轶
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-19 | 公开 | 公开 |