CONDUCTIVITY AND QUENCHED-IN DEFECTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON

被引:9
作者
BRANZ, HM [1 ]
CAPUDER, K [1 ]
LYONS, EH [1 ]
HAGGERTY, JS [1 ]
ADLER, D [1 ]
机构
[1] MIT,CAMBRIDGE,MA 02139
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 36卷 / 15期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.36.7934
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:7934 / 7940
页数:7
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