ELECTRON MOBILITIES IN MODULATION DOPED GA0.47IN0.53AS/AL0.48IN0.52AS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:79
作者
CHENG, KY [1 ]
CHO, AY [1 ]
DRUMMOND, TJ [1 ]
MORKOC, H [1 ]
机构
[1] UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
关键词
D O I
10.1063/1.93018
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:147 / 149
页数:3
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