BORON IN NEAR-INTRINSIC (100) AND (111) SILICON UNDER INERT AND OXIDIZING AMBIENTS-DIFFUSION AND SEGREGATION

被引：130

作者：

ANTONIADIS, DA

GONZALEZ, AG

DUTTON, RW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2131554

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：813 / 819

页数：7

共 34 条

[11]

DUTTON RW, 1977, 50211 STANF EL LAB T

[12]

DUTTON RW, 1977, SEMICONDUCTOR SILICO, P910

FAIR, RB .

[14]

FAIR RB, 1977, 3RD P INT S SIL MAT, P968

[15]

Groove AS, 1965, J APPL PHYS

GROVE, AS ;

SAH, CT ;

LEISTIKO, O .

[17]

Hofker W. K., 1973, Applied Physics, V2, P265, DOI 10.1007/BF00889509

HU, SM .

HU, SM .

[20] DEFECTS IN SILICON SUBSTRATES [J].

HU, SM .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1977, 14 (01) :17-31